在高校重點實驗室、科研機構的研究中，對微觀結構的超高分辨率分析與多維度表征是突破科研瓶頸的關鍵。澤攸臺式掃描電子顯微鏡 ZEM20，憑借性能與豐富的擴展功能，成為開展前沿微觀研究的高級平臺。
產(chǎn)品細節(jié)
ZEM20 采用高穩(wěn)定性臺式結構，機身框架為高強度鑄鋁材質(zhì)，經(jīng)過時效處理消除內(nèi)應力，減少溫度變化與振動對設備的影響。操作界面為雙觸控屏設計，主屏幕用于圖像顯示與參數(shù)調(diào)節(jié)，副屏幕用于數(shù)據(jù)分析與功能設置，同時支持多用戶賬戶管理，可保存不同研究人員的操作參數(shù)與分析模板。樣品室為大容積設計，最大可容納直徑 100mm、高度 80mm 的樣品，配備高精度五軸電動樣品臺（X/Y/Z 軸移動，傾斜與旋轉），定位精度可達 ±1μm，支持樣品的多角度觀察與原位動態(tài)實驗（如拉伸、壓縮過程中的微觀變化）。設備集成高靈敏度二次電子探測器、背散射電子探測器、陰極熒光探測器，可同時獲取樣品的表面形貌、成分分布與光學特性信息；同時預留能譜儀（EDS）、電子背散射衍射（EBSD）、聚焦離子束（FIB）等附件接口，可構建完整的微觀表征系統(tǒng)，實現(xiàn) “形貌觀察 - 成分分析 - 晶體結構分析 - 微納加工" 的一體化研究。此外，機身配備高精度環(huán)境控制系統(tǒng)，可調(diào)節(jié)樣品室的溫度（-200℃至 600℃）與濕度（可控濕度模式），模擬環(huán)境條件下的樣品行為。
產(chǎn)品性能
ZEM20 的超高分辨率性能達到臺式 SEM 水平，二次電子圖像分辨率可達 1.5nm（30kV），在低電壓（1kV）下仍能保持 3.0nm 的分辨率，可清晰觀察原子級別的表面細節(jié)（如金屬表面的原子臺階、半導體材料的量子點結構）。加速電壓范圍為 0.5 - 20kV，調(diào)節(jié)精度 0.01kV，能滿足從低損傷觀察（如生物大分子、有機薄膜）到超高分辨率分析（如納米器件、催化劑顆粒）的全場景需求；放大倍數(shù)覆蓋 5 - 300000 倍，可實現(xiàn)從樣品宏觀定位到原子級細節(jié)的連續(xù)觀察。在圖像采集方面，支持超高分辨率靜態(tài)拍照（最大分辨率 8192×6144 像素）、動態(tài)視頻錄制（幀率可達 60 幀 / 秒）與原位動態(tài)追蹤（可自動跟蹤樣品移動，保持觀察區(qū)域穩(wěn)定）。設備具備先進的圖像處理算法，如自適應降噪、三維重構、元素分布映射等，可深入分析樣品的微觀結構與成分特征；同時支持原位實驗功能，如原位加熱、原位冷卻、原位電學測試，可實時觀察樣品在外界刺激下的微觀變化過程（如材料的相變、納米器件的電學響應）。
用材講究
為保障科研所需的性能與穩(wěn)定性，ZEM20 的核心部件選用頂級材料與工藝。電子槍采用六硼化鑭（LaB?）燈絲，相比傳統(tǒng)鎢燈絲，具備更高的亮度（亮度是鎢燈絲的 5 - 10 倍）、更長的使用壽命（可達 1000 - 2000 小時）與更低的能量分散，能產(chǎn)生更細的電子束，實現(xiàn)超高分辨率成像。透鏡系統(tǒng)采用無氧銅精密鍛造，配合多層超導鍍膜，減少電子能量損失與散射，電子束聚焦精度可達納米級別；透鏡冷卻系統(tǒng)采用水冷設計，有效控制透鏡溫度變化（溫度波動小于 ±0.1℃），保障電子束的穩(wěn)定性。樣品室內(nèi)部采用鈦合金與不銹鋼復合材質(zhì)，經(jīng)過電解拋光處理，表面粗糙度小于 0.1μm，減少樣品室壁的電子散射，降低背景噪聲；樣品臺采用高強度鈦合金，表面經(jīng)過納米涂層處理，具備優(yōu)異的耐磨性與抗腐蝕能力，適合長期高精度使用。探測器選用進口高靈敏度半導體材料，信號采集效率高，噪聲低，能捕捉微弱的二次電子、背散射電子與陰極熒光信號；內(nèi)部電路采用低噪聲、高帶寬設計，電子信號傳輸損耗小于 1%，保障圖像的信噪比與分辨率。真空系統(tǒng)采用三級真空泵（機械泵 + 分子泵 + 離子泵），真空度可達≤1×10??Pa，能有效減少殘余氣體對電子束與樣品的影響，適合高分辨率、長時間的原位實驗。
參數(shù)詳情
廣泛用途
在納米科技研究中，ZEM20 可用于觀察納米器件（如量子點、納米線）的結構與尺寸，分析其電學、光學性能與微觀結構的關系；在催化科學領域，能觀察催化劑顆粒的形貌、分散狀態(tài)與活性位點，研究催化反應機理；在生物醫(yī)學前沿研究中，可通過低溫樣品臺觀察冷凍生物大分子（如蛋白質(zhì)、病毒）的結構，輔助解析其功能；在材料科學研究中，能原位觀察材料在條件（如高溫、高壓、強電場）下的微觀結構演變，揭示材料性能的本質(zhì)規(guī)律；此外，在半導體芯片研發(fā)中，還能檢測芯片內(nèi)部的納米級缺陷、電路連接狀態(tài)，助力 7nm 及以下制程芯片的研發(fā)與制造。
使用說明
使用前，需將 ZEM20 安裝在專用的恒溫恒濕實驗室中，配備光學防震平臺與接地系統(tǒng)（接地電阻≤1Ω），環(huán)境需滿足嚴格的溫濕度控制（溫度 20 - 25℃，波動 ±0.5℃；相對濕度 30% - 50%），遠離強磁場（如核磁共振儀）、強電場（如高壓發(fā)生器）與振動源。設備安裝調(diào)試需由廠家專業(yè)工程師進行，包括真空系統(tǒng) leak 檢測、電子槍校準、探測器靈敏度調(diào)試等，調(diào)試完成后進行性能驗證（如分辨率測試、圖像重復性測試）。實驗前，根據(jù)研究需求選擇電子槍類型（LaB?燈絲或場發(fā)射燈絲），并進行燈絲激活（LaB?燈絲需在高真空下加熱激活，場發(fā)射燈絲需進行處理）。樣品制備需嚴格按照 SEM 樣品要求：導電性樣品需進行精密拋光與清潔，去除表面氧化層與污染物；絕緣樣品需進行超薄鍍膜（如碳膜厚度 2 - 5nm），避免電子積累；生物樣品需經(jīng)過冷凍干燥或臨界點干燥處理，保持天然結構；原位實驗樣品需特殊設計樣品支架，確保與原位附件（如加熱臺、電學測試臺）的兼容性。將樣品安裝在五軸樣品臺上，放入樣品室，關閉樣品室門，啟動真空系統(tǒng)，待真空度達到實驗要求（超高真空模式用于高分辨率觀察，低真空模式用于易揮發(fā)樣品）。根據(jù)實驗目的選擇探測器與實驗模式：表面形貌觀察選用 SE 探測器，成分分析選用 BSE 探測器，光學特性研究選用 CL 探測器；原位實驗需連接相應附件（如加熱臺電源、電學測試系統(tǒng)），設置實驗參數(shù)（如溫度程序、電壓電流條件）。啟動圖像掃描，通過雙觸控屏調(diào)節(jié)掃描參數(shù)（加速電壓、放大倍數(shù)、掃描速度、采樣點數(shù)），利用高級圖像處理功能（如像散自動校正、自適應降噪）優(yōu)化圖像質(zhì)量。對于超高分辨率成像，需選擇慢掃描速度（如 100 秒 / 幀）、高采樣點數(shù)（8192×6144），并進行多次圖像平均，減少噪聲。實驗過程中，實時記錄圖像數(shù)據(jù)與原位實驗參數(shù)，利用配套軟件進行實時分析（如尺寸測量、成分分布映射）。實驗結束后，關閉掃描程序與原位附件，待樣品室放氣后取出樣品，若使用了場發(fā)射電子槍，需按照說明書進行燈絲保護（如降溫、充入保護氣體）。日常維護需由專業(yè)人員進行，包括每周檢查真空系統(tǒng)油位與離子泵電流，每月清潔電子槍腔體與透鏡，每季度進行探測器校準與真空系統(tǒng) leak 檢測，每年進行一次全面性能驗證與維護；設備出現(xiàn)故障時，需立即停機，聯(lián)系廠家技術人員進行檢修，嚴禁自行拆解核心部件（如電子槍、真空系統(tǒng)）。
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